Package Information
Vishay Siliconix
PowerPAK ? SC70-6L
e
b
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b
PIN1
D1
PIN6
K 3
P IN2
PIN5
K1
PIN3
D2
PIN4
K2
K2
PIN1
D1
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PIN5
K1
PIN3
D1
PIN4
K2
BACK S IDE VIEW OF S INGLE
D
z
SINGLE PAD
A
Z
DETAIL Z
BACK S IDE VIEW OF DUAL
Note s :
1. All dimen s ion s a re in millimeter s
2. P a ck a ge o u tline excl us ive of mold fl as h a nd met a l bu rr
3 . P a ck a ge o u tline incl us ive of pl a ting
DUAL PAD
DIM
MILLIMETERS
INCHES
MILLIMETERS
INCHES
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
A
A1
b
C
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D1
0.675
0
0.23
0.15
1.98
0.85
0.75
-
0.30
0.20
2.05
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1.05
0.027
0
0.009
0.006
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-
0.012
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0.015
0.010
0.085
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0.675
0
0.23
0.15
1.98
0.513
0.75
-
0.30
0.20
2.05
0.613
0.80
0.05
0.38
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2.15
0.713
0.027
0
0.009
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-
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D2
0.135
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0.005
0.009
0.013
E
E1
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1.50
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1.05
0.078
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0.037
0.085
0.041
E2
E3
e
K
K1
K2
0.345
0.425
0.395
0.475
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0.275 TYP
0.400 TYP
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0.019
0.026 BSC
0.011 TYP
0.016 TYP
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0.021
0.65 BSC
0.275 TYP
0.320 TYP
0.252 TYP
0.026 BSC
0.011 TYP
0.013 TYP
0.010 TYP
K3
K4
0.225 TYP
0.355 TYP
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L
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0.007
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T
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0.10
0.15
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0.004
0.006
ECN: C-07431 ? Rev. C, 06-Aug-07
DWG: 5934
Document Number: 73001
06-Aug-07
www.vishay.com
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SIA912DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA913ADJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA913DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA913DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA914ADJ-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL N-CHAN 20V SC70-6L 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:20V, 4.5A, 43MOHM @ 4.5V, PowerPAK SC-70-6, DUAL N-CHANNEL 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SIA914DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube